射频离子源RFICP 220用于透明导电薄膜及性能研究试验

   日期:2020-10-16     浏览:0    评论:0    
核心提示:某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,
  某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数, 在普通玻璃衬底上制备得到ZnO: Al(ZAO)透明导电薄膜.

 

试验设备:

伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 进行溅射, 选用 ZAO 陶瓷靶, 基片为普通玻璃, 普发 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

 

工艺要求:

靶与基片距离为5cm, 溅射时间为30 min

 

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号

portant;">

RFICP 220

portant;">

Discharge

portant;">

RFICP 射频

portant;">

离子束流

portant;">

>800 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

20 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦

portant;">

流量

portant;">

10-40 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

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30 cm

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直径

portant;">

41 cm

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中和器

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LFN 2000

 

推荐理由:

聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

 

在整个实验工艺中工作气压保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技术参数如下:

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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